CEU02N6A Todos los transistores

 

CEU02N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU02N6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU02N6A Datasheet (PDF)

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 ceu02n6a ced02n6a.pdf pdf_icon

CEU02N6A

CED02N6A/CEU02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

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CEU02N6A

CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

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 ceu02n65a ced02n65a.pdf pdf_icon

CEU02N6A

CED02N65A/CEU02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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CEU02N6A

CED02N6G/CEU02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2A, RDS(ON) = 5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

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History: QM2608N8 | HM85P02K | IXFK150N15P | TPC60R840C | JCS4N65VB | IRCP250

 

 
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