CEU21A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU21A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 216 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU21A2
CEU21A2 Datasheet (PDF)
1.1. ceu21a2 ced21a2.pdf 
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CED21A2/CEU21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 20A, RDS(ON) = 40m? @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m? @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
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