CEU21A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU21A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU21A2 MOSFET
CEU21A2 Datasheet (PDF)
ceu21a2 ced21a2.pdf

CED21A2/CEU21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 20A, RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU
Otros transistores... CED6186 , CED630N , CED6336 , CED6426 , CED655 , CED730G , CEU16N10 , CEU16N10L , K2611 , CEU25N15L , CEU3060 , CEU3100 , CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL .
History: AP60WN2K1I | TPAO5404EL
History: AP60WN2K1I | TPAO5404EL



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