CEU540N Todos los transistores

 

CEU540N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU540N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.053 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU540N Datasheet (PDF)

1.1. ceu540n ced540n.pdf Size:394K _cet

CEU540N
CEU540N

CED540N/CEU540N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 53m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

4.1. ceu540l ced540l.pdf Size:679K _cet

CEU540N
CEU540N

CED540L/CEU540L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 25A, RDS(ON) = 50m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m? @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 

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