CEU540N Todos los transistores

 

CEU540N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU540N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU540N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU540N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 ceu540n ced540n.pdf pdf_icon

CEU540N

CED540N/CEU540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 25A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

 8.1. Size:679K  cet
 ceu540l ced540l.pdf pdf_icon

CEU540N

CED540L/CEU540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 25A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... CEU3120 , CEU3172 , CEU3252 , CEU4060A , CEU4060AL , CEU40N10 , CEU4204 , CEU540L , AON7403 , CEU55N10 , CEU6056 , CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 .

History: RJK1052DPB | IXTH460P2 | SPB10N10LG | RJL6012DPE | DH300P06I | AOW410 | TPM2019-3

 

 
Back to Top

 


 
.