CEU6060N Todos los transistores

 

CEU6060N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU6060N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 34 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU6060N Datasheet (PDF)

1.1. ceu6060n ced6060n.pdf Size:420K _cet

CEU6060N
CEU6060N

CED6060N/CEU6060N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 34A, RDS(ON) = 25m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

5.1. ceu6056 ced6056.pdf Size:410K _cet

CEU6060N
CEU6060N

CED6056/CEU6056 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 76A , RDS(ON) = 6.2m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

5.2. ceu6086 ced6086.pdf Size:410K _cet

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CEU6060N

CED6086/CEU6086 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 50A, RDS(ON) = 8.7m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise n

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