CEU73A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU73A3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 57 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 265 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU73A3G
CEU73A3G Datasheet (PDF)
ceu73a3g ced73a3g.pdf
CED73A3G/CEU73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 57A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABS
ceu730g ced730g.pdf
CED730G/CEU730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES400V, 5A, RDS(ON) = 1 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C un
Otros transistores... CEU6060N , CEU6086 , CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , CEU730G , AON7403 , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 .
