CEU75A3 Todos los transistores

 

CEU75A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU75A3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU75A3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU75A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cet
 ceu75a3 ced75a3.pdf pdf_icon

CEU75A3

CED75A3/CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 60A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

 ..2. Size:367K  cet
 ced75a3 ceu75a3.pdf pdf_icon

CEU75A3

CED75A3/CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 60A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... CEU6186 , CEU630N , CEU6336 , CEU6426 , CEU655 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , IRFZ44N , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , CEU840A , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 .

History: BUK9E3R2-40B | ELM529575A | BLS2933-100

 

 
Back to Top

 


 
.