CEU840A Todos los transistores

 

CEU840A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU840A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU840A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU840A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  cet
 ceu840a ced840a.pdf pdf_icon

CEU840A

CED840A/CEU840AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES500V, 7.5A, RDS(ON) = 0.85 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

 9.1. Size:408K  cet
 ceu84a4 ced84a4.pdf pdf_icon

CEU840A

CED84A4/CEU84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 80A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V.RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

Otros transistores... CEU655 , CEU730G , CEU73A3G , CEU740A , CEU75A3 , CEU830G , CEU83A3 , CEU83A3G , 20N60 , CEU84A4 , CEU85A3 , CEU93A3 , CEUF634 , CEUF640 , CED73A3G , CED740A , CED75A3 .

History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
Back to Top

 


 
.