CEG8208 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEG8208
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 870 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEG8208
CEG8208 Datasheet (PDF)
ceg8208.pdf
CEG8208Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2TSSOP-8 for Surface Mount Package.*Typical value by design ESD Protected: HBM 2000
ceg8205a.pdf
CEG8205ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D 1 8 DLead free product is acquired.2 7 S2S1TSSOP-8 for Surface Mount Package.S1 3 6 S24G1 5 G2G2S2S2G1DS1S1DTSSOP
ceg8205.pdf
CEG8205www.VBsemi.twDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V Available6.625RoHS*0.032 at VGS = 2.5 V 5.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
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History: CED30P10
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