AS3402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS3402
Código: X2_B2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtonⓘ - Tiempo de encendido: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de AS3402 MOSFET
AS3402 Datasheet (PDF)
as3402.pdf

AS3402 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: X 2 or B 2Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 30 VDSS-
as3409.pdf

P-Channel MOSFET AS3409SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE Load Switch for Portable Devices 3. DRAIN DC/DC Converter MARKING: B 9 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV -30 VDSS
as3404.pdf

N-Channel MOSFET AS3404SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.
as3407.pdf

P-Channel MOSFET AS3407SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE Load Switch for Portable Devices 3. DRAIN DC/DC Converter MARKING: B 7 A or B 7Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV -30 VDSS
Otros transistores... FDD5680 , FDD5690 , FDD6030L , FDD6612A , FDD6670A , FDD6680 , FDD6680A , FDD6690A , IRF830 , FDG311N , FDG312P , FDG313N , FDG314P , FDG315N , FDG316P , FDG6301N , FDG6302P .
History: HUF75329S3S | IRC832-008
History: HUF75329S3S | IRC832-008



Liste
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MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
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