CEM4042 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM4042

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM4042 datasheet

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CEM4042

CEM4042 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 18A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 ..2. Size:882K  cn vbsemi
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CEM4042

CEM4042 www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0045 at VGS = 10 V 18 100 % Rg and UIS Tested 40 8 nC 0.0065 at VGS = 4.5 V 14.5 APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch D SO-8 SD 1 8 G SD 2 7 SD 3 6 GD

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CEM4042

CEM4052 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 16A, RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 10m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

Otros transistores... CEM3138, CEM3172, CEM3178, CEM3252, CEM3252L, CEM3254, CEM3258, CEM3259, IRFZ24N, CEM4204, CEM4228, CEM4269, CEM4279, CEM4282, CEM4308, CEM6056, CEM6086