CEM8958A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM8958A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8(4.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3(4) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90(95) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM8958A datasheet

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CEM8958A

CEM8958A Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRELIMINARY FEATURES 5 30V, 6.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. -30V, -4.8A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acq

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CEM8958A

CEM8958 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -5.2A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface

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CEM8958A

CEM8968 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface

Otros transistores... CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, CEM8208, CEM8809, CEM8958, IRFP064N, CEM8968, CEM9436A, CEM9926A, CEM9935A, CEM9936A, CEN7002A, CES2302, CES2306