CEM8968 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEM8968
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(6.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140(240) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM8968

CEM8968 Datasheet (PDF)

..1. Size:539K cet
cem8968.pdf

CEM8968Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES530V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surface

9.1. Size:290K cet
cem8958.pdf

CEM8958Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES530V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V.-30V, -5.2A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D2High power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Surface

9.2. Size:421K cet
cem8958a.pdf

CEM8958ADual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRELIMINARYFEATURES530V, 6.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V.-30V, -4.8A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acq

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Liste

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