CES2316 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CES2316
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de CES2316 MOSFET
CES2316 Datasheet (PDF)
ces2316.pdf

CES2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vol
ces2317.pdf

CES2317P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.1A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 120m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).DRugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedPar
ces2310.pdf

CES2310N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V.DHigh dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C u
ces2312.pdf

CES2312N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 4.5A, RDS(ON) = 33m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vo
Otros transistores... CEM9936A , CEN7002A , CES2302 , CES2306 , CES2308 , CES2310 , CES2312 , CES2314 , IRFP460 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 .
History: IXFH15N100Q
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