CED4201 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED4201  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED4201 datasheet

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CED4201

CED4201/CEU4201 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -28A, RDS(ON) = 26m @VGS = -10V. RDS(ON) = 36m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX

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CED4201

CED4204/CEU4204 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 24A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

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CED4201

CED4279/CEU4279 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES D1/D2 40V , 14A , RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V. -40V , -9A , RDS(ON) = 72m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V. G1 G2 Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 D1/D2 Lead free product is acqui

Otros transistores... CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10, CED2303, CED30P10, CED3301, CED3423, AON6380, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04, CEF14P20, CEF15P15, CEF6601