CED4301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED4301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED4301 Datasheet (PDF)

1.1. ced4301 ceu4301.pdf Size:409K _cet

CED4301/CEU4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -20A, RDS(ON) = 42m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA

5.1. ced4311 ceu4311.pdf Size:401K _cet

CED4311/CEU4311 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -33A, RDS(ON) = 18m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA

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Liste

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