CED4301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED4301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED4301
CED4301 Datasheet (PDF)
1.1. ced4301 ceu4301.pdf 
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CED4301/CEU4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -20A, RDS(ON) = 42m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA
5.1. ced4311 ceu4311.pdf Size:401K _cet
CED4311/CEU4311 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -33A, RDS(ON) = 18m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA
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