CED4301 Todos los transistores

 

CED4301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED4301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED4301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  cet
 ced4301 ceu4301.pdf pdf_icon

CED4301

CED4301/CEU4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -20A, RDS(ON) = 42m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:401K  cet
 ced4311 ceu4311.pdf pdf_icon

CED4301

CED4311/CEU4311P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -33A, RDS(ON) = 18m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

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History: FDD26AN06A0F085 | BSS123A | NCEP023NH85AGU | HPLU3103 | CJBB3139K | 2N6453 | SL4N65I

 

 
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