CEP20P06 Todos los transistores

 

CEP20P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP20P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CEP20P06 datasheet

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CEP20P06

CEP20P06/CEB20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -14A, RDS(ON) =125m @VGS = -10V. RDS(ON) =175m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T... See More ⇒

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CEP20P06

CEP20P10/CEB20P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -100V, -20A, RDS(ON) =130m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles... See More ⇒

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CEP20P06

CEP20A03/CEB20A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 197A, RDS(ON) = 2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE... See More ⇒

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