CES2313 Todos los transistores

 

CES2313 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CES2313
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CES2313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  cet
 ces2313.pdf pdf_icon

CES2313

CES2313P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

 0.1. Size:409K  cet
 ces2313a.pdf pdf_icon

CES2313

CES2313AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -10V. RDS(ON) = 86m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Sourc

 8.1. Size:390K  cet
 ces2317.pdf pdf_icon

CES2313

CES2317P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -3.1A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 120m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).DRugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedPar

 8.2. Size:141K  cet
 ces2316.pdf pdf_icon

CES2313

CES2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 4.8A, RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vol

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History: AP4531GM | PP9H06BI

 

 
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