CEU20P10 Todos los transistores

 

CEU20P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU20P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU20P10

 

CEU20P10 Datasheet (PDF)

1.1. ced20p10 ceu20p10.pdf Size:417K _cet

CEU20P10
CEU20P10

CED20P10/CEU20P10 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -16A, RDS(ON) = 130m? @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

4.1. ced20p06 ceu20p06.pdf Size:428K _cet

CEU20P10
CEU20P10

CED20P06/CEU20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -13A, RDS(ON) = 125m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 175m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU

 

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