CEU4301 Todos los transistores

 

CEU4301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU4301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU4301 datasheet

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CEU4301

CED4301/CEU4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -20A, RDS(ON) = 42m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX... See More ⇒

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 ced4311 ceu4311.pdf pdf_icon

CEU4301

CED4311/CEU4311 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -33A, RDS(ON) = 18m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX... See More ⇒

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