CEU95P04 Todos los transistores

 

CEU95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU95P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de CEU95P04 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEU95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 ced95p04 ceu95p04.pdf pdf_icon

CEU95P04

CED95P04/CEU95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , CEU6601 , CEU6861 , IRF4905 , 2N7000A , 2N7000K , 2N7002KA , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S , KTK5131E , KTK5131S .

History: UF830G-TQ2-R | UF830G-TQ2-T | HGI290N10SL | HGB039N15M | PSMN4R1-30YLC | OSG65R099TT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.