KTJ6131E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KTJ6131E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: ESM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KTJ6131E

KTJ6131E Datasheet (PDF)

..1. Size:82K kec
ktj6131e.pdf

KTJ6131ESEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive. DIM MILLIMETERS_+A 1.60 0.10DLow Threshold Voltage : Vth=-0.5 -1.5V._2 B 0.85 0.10+_+C 0.70 0.10High Speed. 31D 0.27+0.10/-0.05_Small Package. +E 1.60 0.10_+G 1.00 0.10

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ktj6131v.pdf

KTJ6131VSEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES E2.5 Gate Drive.BLow Threshold Voltage : Vth=-0.5-1.5V.High Speed. DIM MILLIMETERS2Small Package. _A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05Enhancement-Mode.13_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05

9.1. Size:745K kec
ktj6164s.pdf

KTJ6164SSEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.202.5 Gate Drive.B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXLow Threshold Voltage : Vth=-0.5-1.5V.23 D 0.40+0.15/-0.05High Speed. E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Small Package. H 0.

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Liste

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