KTJ6131E Todos los transistores

 

KTJ6131E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTJ6131E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: ESM
 

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KTJ6131E Datasheet (PDF)

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KTJ6131E

KTJ6131ESEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EFEATURES B2.5 Gate Drive. DIM MILLIMETERS_+A 1.60 0.10DLow Threshold Voltage : Vth=-0.5 -1.5V._2 B 0.85 0.10+_+C 0.70 0.10High Speed. 31D 0.27+0.10/-0.05_Small Package. +E 1.60 0.10_+G 1.00 0.10

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KTJ6131E

KTJ6131VSEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES E2.5 Gate Drive.BLow Threshold Voltage : Vth=-0.5-1.5V.High Speed. DIM MILLIMETERS2Small Package. _A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05Enhancement-Mode.13_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05

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KTJ6131E

KTJ6164SSEMICONDUCTORP CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS EL B LFEATURES DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.202.5 Gate Drive.B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXLow Threshold Voltage : Vth=-0.5-1.5V.23 D 0.40+0.15/-0.05High Speed. E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Small Package. H 0.

Otros transistores... CEU4301 , CEU4311 , CEU6601 , CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A , 2N7000K , 2N7002KA , 8205A , KTJ6131V , KTJ6164S , KTK5131E , KTK5131S , KTK5131V , KTK5132E , KTK5132S , KTK5132U .

History: SSG4410N | SSG4492N | DMTH8003SPS-13

 

 
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