KTJ6131E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTJ6131E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
Encapsulados: ESM
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KTJ6131E datasheet
ktj6131e.pdf
KTJ6131E SEMICONDUCTOR P CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E FEATURES B 2.5 Gate Drive. DIM MILLIMETERS _ + A 1.60 0.10 D Low Threshold Voltage Vth=-0.5 -1.5V. _ 2 B 0.85 0.10 + _ + C 0.70 0.10 High Speed. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Small Package. + E 1.60 0.10 _ + G 1.00 0.10
ktj6131v.pdf
KTJ6131V SEMICONDUCTOR P CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES E 2.5 Gate Drive. B Low Threshold Voltage Vth=-0.5 -1.5V. High Speed. DIM MILLIMETERS 2 Small Package. _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 Enhancement-Mode. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05
ktj6164s.pdf
KTJ6164S SEMICONDUCTOR P CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 2.5 Gate Drive. B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX Low Threshold Voltage Vth=-0.5 -1.5V. 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 High Speed. E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Small Package. H 0.
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History: JMTQ55P02A | NCEP12T12 | STF11NM50N
History: JMTQ55P02A | NCEP12T12 | STF11NM50N
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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