KMA4D5P20X Todos los transistores

 

KMA4D5P20X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMA4D5P20X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

KMA4D5P20X Datasheet (PDF)

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KMA4D5P20X

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone,and PDA.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=60m(Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A: RDS(ON)=110m(Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3ASuper High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON)MAXIMUM RATING

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KMA4D5P20X

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XATECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
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