KMA4D5P20X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMA4D5P20X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KMA4D5P20X

KMA4D5P20X Datasheet (PDF)

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kma4d5p20x.pdf

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone,and PDA.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=60m(Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A: RDS(ON)=110m(Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3ASuper High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON)MAXIMUM RATING

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kma4d5p20xa.pdf

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XATECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain

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Liste

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