KMB5D0NP40Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMB5D0NP40Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(4) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.4(19.8) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(205) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.037) Ohm
Encapsulados: FLP8
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KMB5D0NP40Q datasheet
kmb5d0np40q.pdf
SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40Q TECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, portable equipment and battery powered systems. H T D P G L FEATURES A N-Channel DIM MILLIMETERS A VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20 B1 _ 3.90 + 0.3 RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10V B2 _ 6.
kmb5d5np30q.pdf
SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30Q TECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, H portable equipment and battery powered systems. T D P G L FEATURES A N-Channel DIM MILLIMETERS VDSS=30V, ID=5.5A. A 5.05+0.25/-0.20 RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V _ 3.90 + 0.3 B1 8 5
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History: KMB6D0NS30QA | KMB6D0NP40QA
History: KMB6D0NS30QA | KMB6D0NP40QA
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