KF1N60L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF1N60L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: TO92L
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KF1N60L datasheet
kf1n60l.pdf
KF1N60L SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description B D DIM MILLIMETERS This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast A 7.20 MAX switching time, low on resistance, low gate charge and excellent B 5.20 MAX C 0.60 MAX avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode P D 2.50 MAX DEPTH 0.2 E 1.15 MAX
kf1n60d-i.pdf
KF1N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF1N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 power supplies.
Otros transistores... KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , KF1N60D , KF1N60I , AON6380 , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P , KF3N40D , KF3N40I , KF3N40W .
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