KF3N50DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KF3N50DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF3N50DS

KF3N50DS Datasheet (PDF)

7.1. Size:382K kec
kf3n50dz-ds.pdf

KF3N50DZ/DSSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forLC D_A 6.60 + 0.20_electronic ballast and s

7.2. Size:404K kec
kf3n50dz-iz.pdf

KF3N50DZ/IZSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N50DZThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forLC D_A 6.60 + 0.20_electronic bal

8.1. Size:82K kec
kf3n50fz-fs.pdf

KF3N50FZ/FSSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+electronic ballast and switchin

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History: NCEP055N10M

Liste

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