KF3N60F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF3N60F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO220IS

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KF3N60F datasheet

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KF3N60F

KF3N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and L C D _ A 6.60 + 0.20 switching mode power supp

 8.2. Size:94K  kec
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KF3N60F

KF3N60P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N60P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and E DIM MILLIMETERS G _ switching mode power supplies. A 9.9

Otros transistores... KF3N40I, KF3N40W, KF3N50DS, KF3N50DZ, KF3N50FS, KF3N50FZ, KF3N50IZ, KF3N60D, TK10A60D, KF3N60I, KF3N60P, KF3N80F, KF4N20LD, KF4N20LI, KF4N20LW, KF4N65F, KF4N65P