KF3N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF3N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220IS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF3N80F
KF3N80F Datasheet (PDF)
kf3n80f.pdf
KF3N80FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power supplie
kf3n80d i.pdf
KF3N80D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N80DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting andLC D_A 6.60 + 0.20switching mode power supplies.
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