KF4N80F Todos los transistores

 

KF4N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF4N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO220IS

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KF4N80F datasheet

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Otros transistores... KF3N60I , KF3N60P , KF3N80F , KF4N20LD , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F , KF4N65P , IRFZ24N , KF5N50D , KF5N50DS , KF5N50DZ , KF5N50F , KF5N50FS , KF5N50FSA , KF5N50FZ , KF5N50FZA .

 

 

 

 

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