KF6N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF6N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220IS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF6N60F
KF6N60F Datasheet (PDF)
kf6n60p-f.pdf
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KF6N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 600V, ID= 6A
kf6n60d-i.pdf
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KF6N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and_B 6.10 + 0.20_C 5.
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