KF7N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KF7N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.83 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220IS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF7N50F

KF7N50F Datasheet (PDF)

8.1. Size:1219K kec
kf7n50p-f.pdf

KF7N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIMavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 500V, ID= 7

8.2. Size:387K kec
kf7n50d-i.pdf

KF7N50D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N50DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and_B 6.10 + 0.20_C 5.

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Liste

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