KF8N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF8N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220IS
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KF8N60F Datasheet (PDF)
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KF8N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF8N60PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSGcorrection and switching mode power suppli
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