KF8N60F Todos los transistores

 

KF8N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF8N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220IS

 Búsqueda de reemplazo de KF8N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KF8N60F datasheet

 8.1. Size:579K  kec
 kf8n60p-f.pdf pdf_icon

KF8N60F

KF8N60P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF8N60P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G correction and switching mode power suppli

Otros transistores... KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , IRFP460 , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.