KHB6D0N40P Todos los transistores

 

KHB6D0N40P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KHB6D0N40P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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KHB6D0N40P datasheet

 ..1. Size:1266K  kec
 khb6d0n40p f f2.pdf pdf_icon

KHB6D0N40P

KHB6D0N40P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB6D0N40P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and B B 15.95 MAX

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History: SPB80N03S2-03 | GKI06071 | TK5P60W

 

 

 

 

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