KU2311K Todos los transistores

 

KU2311K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KU2311K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 694 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PSOP8
 

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KU2311K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  kec
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KU2311K

SEMICONDUCTOR KU2311KTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter.FEATURES VDSS=30V, ID=97A.Low Drain to Source On-state Resistance.: RDS(ON)=5.0m(Max.) @ VGS=10V: RDS(ON)

 8.1. Size:829K  kec
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KU2311K

SEMICONDUCTOR KU2311QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=17A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance

 9.1. Size:830K  kec
 ku2310q.pdf pdf_icon

KU2311K

SEMICONDUCTOR KU2310QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack.TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=19A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resistance

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History: 1H05 | SRT10N090L | STH12N120K5-2

 

 
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