KMC6D5CN20CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMC6D5CN20CA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1800 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

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KMC6D5CN20CA Datasheet (PDF)

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kmc6d5cn20ca.pdf

SEMICONDUCTOR KMC6D5CN20CATECHNICAL DATA Common N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Device is a Dual N-Channel MOSFET designed for use as a bi-Cdirectional load switch, facilitated by its commom-drain configuration.DIts mainly suitable for Li-ion battery pack.8 5AE1EBA1FEATURES 1 4VDSS=20V, ID=6.5A.Low Drain to Source On Resistance.DIM MILLIMETERS

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Liste

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