KTX598TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTX598TF
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20000 Ohm
Paquete / Cubierta: TFSQ
Búsqueda de reemplazo de KTX598TF MOSFET
KTX598TF Datasheet (PDF)
ktx598tf.pdf

KTX598TFSEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.TENTATIVEFEATURESExpecially Suited for Use in Audio, Telephone.Capacitor Microphones.Excellent Voltage Characteristics.Excellent Transient Characteristics.BESD Protection to IEC61000-4-2 Level 4. B114EMI/RFI fitering.DIM MILLIMETERS_+A
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History: STD2HNK60Z-1 | SML1004RKN | NDH8503N | BLM4953A | IPU78CN10N | UT8205AG-AG6 | IPP180N10N3G
History: STD2HNK60Z-1 | SML1004RKN | NDH8503N | BLM4953A | IPU78CN10N | UT8205AG-AG6 | IPP180N10N3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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