H01N60SJ Todos los transistores

 

H01N60SJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H01N60SJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: TO252

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H01N60SJ datasheet

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H01N60SJ

Spec. No. MOS200501 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2010.11.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H01N60S Series Pin Assignment H01N60S Series 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code A Pin 1 Gate Pin 2 Drain Pin 3 Source Description 3 1 2 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 8.1. Size:58K  hsmc
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H01N60SJ

Spec. No. MOS200502 HI-SINCERITY Issued Date 2005.03.01 Revised Date 2006.08.31 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H01N60 Series Pin Assignment H01N60 Series N-Channel Power Field Effect Transistor Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 Description 1 Pin 3 Source This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to pr

Otros transistores... SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , H01N60SI , 4N60 , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ .

 

 

 

 

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