H07N60F Todos los transistores

 

H07N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H07N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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H07N60F datasheet

 8.1. Size:79K  hsmc
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H07N60F

Spec. No. MOS200604 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H07N60 Series Pin Assignment H07N60 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This high voltage MOSFET uses an advanced termination schem

 9.1. Size:161K  hsmc
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H07N60F

Spec. No. MOS200801 HI-SINCERITY Issued Date 2008.07.22 Revised Date 2009.0514 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H07N65 Series Pin Assignment H07N65 Series Tab N-Channel Power Field Effect Transistor 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 9.2. Size:636K  way-on
 wml07n65c2 wmh07n65c2 wmm07n65c2 wmo07n65c2 wmp07n65c2 wmg07n65c2.pdf pdf_icon

H07N60F

WML0 MM07N65C 07N65C2, WMH07N65C2, WM C2 WMO0 MG07N65C 07N65C2, WMP07N65C2, WM C2 650 Junction ET 0V 1.0 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce. TO-220F TO TO-25

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History: OSG65R380FEF | SVT035R5NT | HIRF830 | P0260ATF | STM9930A | SL9926A | LSB60R125HT

 

 

 

 

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