H12N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H12N65E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de H12N65E MOSFET
H12N65E Datasheet (PDF)
ixta12n65x2 ixth12n65x2 ixtp12n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXTP12N65X2 RDS(on) 300m IXTH12N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30
ixfp12n65x2m ixfp12n65x2 ixfa12n65x2 ixfh12n65x2.pdf

X2-Class HiPERFET VDSS = 650VIXFA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tr
h12n65.pdf

Spec. No. : MOS200902 HI-SINCERITY Issued Date : 2009.03.24 Revised Date :2009.08.05 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H12N65 Series H12N65 Series Tab3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: E N-Channel Power MOSFET (650V,12A) Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Pin 3: SourceApplications 3 Switch Mode Power Supply 2 1 Uninterruptable Power Supply 3-L
h12n65p h12n65f.pdf

12N65 SeriesN-Channel MOSFET12A, 650V, N H FQP12N65C H12N65P P: TO-220AB12N65 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF12N65C H12N65F F: TO-220FP12N65 Series Pin AssignmentFeaturesID=12AOriginative New Des
Otros transistores... H07N65E , H07N65F , H10N60E , H10N60F , H10N65E , H10N65F , H12N60E , H12N60F , MMD60R360PRH , H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N , H2N7000 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN .
History: HAT1065R | DK64N90 | RQK0609CQDQS | 2SK1723 | VBM1808 | TF2341 | PE561BA
History: HAT1065R | DK64N90 | RQK0609CQDQS | 2SK1723 | VBM1808 | TF2341 | PE561BA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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