H6968S Todos los transistores

 

H6968S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H6968S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SO8

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H6968S datasheet

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H6968S

Spec. No. MOS200510 HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2005.10.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968S / H6968CS 8-Lead Plastic SO-8 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.5A) Package Code S (Battery Switch, ESD Protected) Features RDS(on)=32m @VGS=2.5V, ID=5.5A RDS(on)=24m @VGS=4.5V, ID=6.5A Advanced Trench Process Technol

 9.1. Size:92K  hsmc
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H6968S

Spec. No. MOS200610 HI-SINCERITY Issued Date 2006.06.01 Revised Date 2006.02.25 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H6968CTS 8-Lead Plastic TSSOP-8 Package Code TS Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 7.0A) (Battery Switch, ESD Protected) H6968CTS Symbol & Pin Assignment 8 7 6 5 Pin 1 Drain Q2 Pin 2 / 3 Source 1 Features Pin 4 Gate 1 Q1 Pin

Otros transistores... H3055MJ , H35N03J , H4422S , H4435S , H4946DS , H4946S , H50N03J , H6968CTS , IRF1404 , H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 .

History: AP80SL400AI | H10N60F | ME4454 | MTP12N10L | VB1695 | 2SJ492 | MTB20N06KJ3

 

 

 

 

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