IRF742FI Todos los transistores

 

IRF742FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF742FI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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IRF742FI datasheet

 8.1. Size:122K  international rectifier
irf7424pbf.pdf pdf_icon

IRF742FI

PD- 95343 IRF7424PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -30V 13.5@VGS = -10V -11A l Surface Mount 22@VGS = -4.5V -8.8A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A 1 8 Description S D These P-Channel MOSFETs from International 2 7 S D Rectifier utilize advanced processing techniques to 3 achieve the extremely low on-resista

 8.2. Size:223K  international rectifier
irf7421d1pbf.pdf pdf_icon

IRF742FI

PD- 95304 IRF7421D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power A A 1 8 MOSFET and Schottky Diode A D VDSS = 30V l Ideal For Synchronous Regulator 2 7 S D Applications 3 6 S D RDS(on) = 0.035 l Generation V Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky

 8.3. Size:192K  international rectifier
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IRF742FI

IRF7425PbF HEXFET Power MOSFET VDS -20 V A 1 8 RDS(on) max S D 8.2 (@V = -4.5V) 2 7 GS S D m RDS(on) max 3 6 13 S D (@V = -2.5V) GS 4 5 Qg (typical) 87 nC G D ID -15 A SO-8 Top View (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Co

 8.4. Size:153K  international rectifier
irf7420pbf.pdf pdf_icon

IRF742FI

PD - 95633A IRF7420PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 14m @VGS = -4.5V -11.5A l Surface Mount 17.5m @VGS = -2.5V -9.8A l Available in Tape & Reel 26m @VGS = -1.8V -8.1A l Lead-Free Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing 2 7 techniq

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History: 60NM60G-T47 | 2SK4070I | 30N06G-TN3-R | NDT4N70 | IRF3706L | WMM28N60F2

 

 

 

 

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