IRF832FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF832FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF832FI

IRF832FI Datasheet (PDF)

8.1. Size:218K international rectifier
irf8327spbf.pdf

PD - 97669IRF8327SPbFIRF8327STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.2. Size:481K st
irf830 irf831 irf832 irf833-fi.pdf