MTP15N06L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP15N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO220
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MTP15N06L datasheet
mtp15n06vl.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP15N06VL/D Designer's Data Sheet MTP15N06VL TMOS V Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 15 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more tha
mtp15n06v.pdf
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History: BSR802N | SCT2280KE | 2N65L-TMA-T | 2N6788L | SI2305CDS-T1-GE3 | BRCS70N08IP | STB17N80K5
History: BSR802N | SCT2280KE | 2N65L-TMA-T | 2N6788L | SI2305CDS-T1-GE3 | BRCS70N08IP | STB17N80K5
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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