SGSP369 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGSP369
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SGSP369 Datasheet (PDF)
Otros transistores... SGSP341 , SGSP351 , SGSP358 , SGSP361 , SGSP362 , SGSP363 , SGSP364 , SGSP367 , IRF3205 , SGSP381 , SGSP382 , SGSP461 , SGSP462 , SGSP471 , SGSP472 , SGSP474 , SGSP475 .
History: SVG031R1NL5 | AP2910EC4 | PMF250XN | HGP028N08A | APT47N60SC3G | HSU12N10 | BLP05N08G-Q
History: SVG031R1NL5 | AP2910EC4 | PMF250XN | HGP028N08A | APT47N60SC3G | HSU12N10 | BLP05N08G-Q



Liste
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