SGSP475 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGSP475
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO218
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SGSP475 Datasheet (PDF)
Otros transistores... SGSP369 , SGSP381 , SGSP382 , SGSP461 , SGSP462 , SGSP471 , SGSP472 , SGSP474 , IRFZ44 , SGSP477 , SGSP479 , SGSP481 , SGSP482 , SGSP491 , SGSP492 , SGSP574 , SGSP575 .
History: IXFP36N30P3 | 25N10G-TF1-T | 2SK3078 | 2N60L-TND-R
History: IXFP36N30P3 | 25N10G-TF1-T | 2SK3078 | 2N60L-TND-R



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