2SJ175 Todos los transistores

 

2SJ175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ175
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

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2SJ175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  hitachi
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2SJ175

2SJ175Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid driveOutlineTO-220FMD1231. Gate G2. Drain 3. SourceS2SJ175Abso

 9.1. Size:320K  nec
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History: SRC60R230B | MPF6660 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CSD13381F4

 

 
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