2SJ319 Todos los transistores

 

2SJ319 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ319

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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2SJ319 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj319.pdf Size:87K _renesas

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2SJ319(L), 2SJ319(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0858-0200 (Previous: ADE-208-1192) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A RENESAS Package code: PRSS000

1.2. r07ds0396ej 2sj319ls.pdf Size:103K _renesas

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Preliminary Datasheet R07DS0396EJ0300 2SJ319(L), 2SJ319(S) (Previous: REJ03G0858-0200) Rev.3.00 Silicon P Channel MOS FET May 16, 2011 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A RENES

 1.3. 2sj319s.pdf Size:1212K _kexin

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SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ319S TO-252 Unit: mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 ■ Features 4 ● VDS (V) =-200V ● ID =-3 A (VGS =-10V) 0.127 D +0.1 0.80-0.1 max ● RDS(ON) < 2.3Ω (VGS =-10V) G ● High speed switching ● Low drive current + 0.1 2.3 0.60- 0.1 1 Gate +0.15 4.60 -0.15 2 Drain 3 Source S 4 Drain ■

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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