2SJ74 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ74
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ74

2SJ74 Datasheet (PDF)

..1. Size:332K toshiba
2sj74.pdf

2SJ74 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ74 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Recommended for first stages of EQ amplifiers and M.C. head amplifiers. High |Yfs|: |Yfs| = 22 mS (typ.) (VDS = -10 V, VGS = 0, IDSS = -3 mA) Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = -10 V, ID = -1 mA, f = 1 kHz) High input impedanc

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Liste

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