2SK1117 Todos los transistores

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2SK1117 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1117

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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2SK1117 Datasheet (PDF)

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2SK1119 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSII.5) 2SK1119 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 ? (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 2.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1 mA) D

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