2SK1279 Todos los transistores

 

2SK1279 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1279
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1279 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  fuji
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2SK1279

N-channel MOS-FET2SK1279F-V Series 500V 0,58 15A 125W> Features > Outline Drawing- Include Fast Recovery Diode- High Voltage- Low Driving Power> Applications- Motor Control- Inverters- Choppers> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C), unless otherwise specifiedItem Symbol Rating UnitDrain-Source-Voltage V 500

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
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2SK1279

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1279DESCRIPTIONDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aUNISYMBOL ARAMETER VALUETV

 8.1. Size:355K  nec
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2SK1279

 8.2. Size:436K  nec
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2SK1279

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