2SK187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK187
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2SK187 MOSFET
2SK187 Datasheet (PDF)
2sk1875.pdf
2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage
2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf
Otros transistores... 2SK1693 , 2SK1698 , 2SK1736 , 2SK1739A , 2SK1771 , 2SK1773 , 2SK1818-MR , 2SK1837 , AON7410 , 2SK1880L , 2SK1880S , 2SK1920 , 2SK1921 , 2SK1922 , 2SK1923 , 2SK1924 , 2SK1925 .
History: IRFB4310ZG | APT50M85B2VR | 2SK1880L | 2SK1610 | STF4NK50ZD | NP32N055IHE | IRFB4310G
History: IRFB4310ZG | APT50M85B2VR | 2SK1880L | 2SK1610 | STF4NK50ZD | NP32N055IHE | IRFB4310G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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