2SK187 Todos los transistores

 

2SK187 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK187

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm

Encapsulados: TO92

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2SK187 datasheet

 ..1. Size:622K  hitachi
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2SK187

 0.1. Size:287K  toshiba
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2SK187

2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High Yfs Yfs = 25 mS (typ.) Low C C = 7.5 pF (typ.) iss iss Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Gate-drain voltage

 0.2. Size:199K  fuji
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2SK187

 0.3. Size:199K  no
 2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf pdf_icon

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