2SK187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK187
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2SK187 MOSFET
2SK187 Datasheet (PDF)
2sk1875.pdf
2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage
2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf
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History: AOB266L | OSG60R1K8PF | MPSW60M082 | FXN0507C | AP9974BGP | QM04N60F | MMN200H010X
History: AOB266L | OSG60R1K8PF | MPSW60M082 | FXN0507C | AP9974BGP | QM04N60F | MMN200H010X
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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